产品属性 | 属性值 |
型号 | FDN327N |
品牌 | ONSEMI(安森美) |
封装 | 封装:SOT-23 |
描述 | 描述:此20VN沟道MOSFET使用高压PowerTrench工艺。此产品非常适用于电源管理应用。 |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 2A |
功率(Pd) | 500mW |
编号 | C154560 |
圆盘 | 3000个/圆盘 |

FDN327N
¥1.8300
库存 810 件
数量 | 价格 |
---|---|
1 - 9 | ¥1.8300 |
10 - 99 | ¥1.6470 |
100 - 999 | ¥1.5555 |
1000 + | ¥1.4640 |