| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDN336P |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-23-3 |
| 描述 | 描述:此P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。此类器件非常适合便携式电子应用：负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A |
| 功率(Pd) | 500mW |
| 编号 | C10882 |
| 圆盘 |
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FDN336P
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无货