| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDN352AP |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-23 |
| 描述 | 描述:此P沟道逻辑电平MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件特别适用于需要在非常小形的表面贴装封装中实现线路内低功率损耗的低压和电池供电应用。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A |
| 功率(Pd) | 500mW |
| 编号 | C154553 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDN352AP
¥1.5003
库存 205 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.5003 |
| 10 - 99 | ¥1.3503 |
| 100 - 999 | ¥1.2753 |
| 1000 + | ¥1.2002 |