| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDN358P |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-23-3 |
| 描述 | 描述:此P沟道逻辑电平MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A |
| 功率(Pd) | 500mW |
| 编号 | C24848 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDN358P
¥2.3900
库存 641 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥2.3900 |
| 10 - 99 | ¥2.1510 |
| 100 - 999 | ¥2.0315 |
| 1000 + | ¥1.9120 |