| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDN5618P |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SUPERSOT-3 |
| 描述 | 描述: P沟道 耐压:60V 电流:1.25A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):1.25A 功率(Pd):500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):170mΩ@10V,1.25A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 此 60V P 沟道 MOSFET 使用高压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电源管理应用。 |
| 类型 | P沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.25A |
| 功率(Pd) | 500mW |
| 编号 | 编号: C400792 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDN5618P
¥1.7057
库存 17000 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.7057 |
| 10 - 99 | ¥1.5351 |
| 100 - 999 | ¥1.4498 |
| 1000 + | ¥1.3646 |