| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDN5630 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-23-3 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET专为提高DC/DC转换器的总效率而设计，可以使用同步开关PWM控制器，也可以使用传统开关PWM控制器。此MOSFET可在很小的SOT23占地面积中提供极低RDS(ON)。与具有相当的RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，Fairchild的PowerTrench技术可提供更快的开关速度。因此提高了总体效率，减小了板空间。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A |
| 功率(Pd) | 500mW |
| 编号 | C236899 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDN5630
¥1.5798
库存 1430 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.5798 |
| 10 - 99 | ¥1.4218 |
| 100 - 999 | ¥1.3428 |
| 1000 + | ¥1.2638 |