| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDN86265P |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-23-3 |
| 描述 | 描述:此P沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，经过了优化可最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA |
| 功率(Pd) | 1.5W |
| 编号 | C891119 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
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FDN86265P
¥6.6400
无货
¥6.6400
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDN86265P |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-23-3 |
| 描述 | 描述:此P沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，经过了优化可最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA |
| 功率(Pd) | 1.5W |
| 编号 | C891119 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |