| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDN86501LZ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-23-3 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺针对rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A |
| 功率(Pd) | 1.5W |
| 编号 | C891120 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
Sold out
FDN86501LZ
¥7.3000
无货
¥7.3000
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDN86501LZ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-23-3 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺针对rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A |
| 功率(Pd) | 1.5W |
| 编号 | C891120 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |