| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDP027N08B-F102 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-220 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 连续漏极电流(Id) | 223A |
| 功率(Pd) | 246W |
| 编号 | C463721 |
| 圆盘 | 50个/管 |
FDP027N08B-F102
¥20.6400
库存 25 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥20.6400 |
| 10 - 99 | ¥18.5760 |
| 100 - 999 | ¥17.5440 |
| 1000 + | ¥16.5120 |