| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDP054N10 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-220 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用PowerTrench工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| 功率(Pd) | 263W |
| 编号 | C605049 |
| 圆盘 | 50个/管 |
FDP054N10
¥22.9104
库存 97 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥22.9104 |
| 10 - 99 | ¥20.6194 |
| 100 - 999 | ¥19.4738 |
| 1000 + | ¥18.3283 |