| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDP2D3N10C |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-220 |
| 描述 | 描述:此N沟道MVMOSFET是使用安森美半导体先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C898591 |
| 圆盘 | 800个/管 |
FDP2D3N10C
¥64.8300
库存 5 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥64.8300 |
| 10 - 99 | ¥58.3470 |
| 100 - 999 | ¥55.1055 |
| 1000 + | ¥51.8640 |