| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDP8D5N10C |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-220 |
| 描述 | 描述:此N沟道MVMOSFET使用安森美半导体先进的PowerTrench工艺生产，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 76A |
| 功率(Pd) | 2.4W；107W |
| 编号 | C605054 |
| 圆盘 | 50个/管 |
FDP8D5N10C
¥12.1923
库存 2 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥12.1923 |
| 10 - 99 | ¥10.9731 |
| 100 - 999 | ¥10.3635 |
| 1000 + | ¥9.7538 |