| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDPF2D3N10C |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-220F |
| 描述 | 描述:此N沟道MVMOSFET是使用安森美半导体先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 222A |
| 功率(Pd) | 45W |
| 编号 | C899163 |
| 圆盘 | 1000个/管 |
FDPF2D3N10C
¥28.9548
库存 10 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥28.9548 |
| 10 - 99 | ¥26.0593 |
| 100 - 999 | ¥24.6116 |
| 1000 + | ¥23.1638 |