| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDS4685 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SO-8 |
| 描述 | 描述:此P沟道MOSFET是先进的PowerTrench工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值(4.5V–20V)的电源管理应用进行了优化。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A |
| 功率(Pd) | 2.5W |
| 编号 | C336026 |
| 圆盘 |
Sold out
FDS4685
¥3.8864
无货
¥3.8864
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDS4685 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SO-8 |
| 描述 | 描述:此P沟道MOSFET是先进的PowerTrench工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值(4.5V–20V)的电源管理应用进行了优化。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A |
| 功率(Pd) | 2.5W |
| 编号 | C336026 |
| 圆盘 |