| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDS4897C |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SO-8 |
| 描述 | 描述:此类双N和P沟道增强型电场效应晶体管是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | 1个N沟道和1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A；4.4A |
| 功率(Pd) | 900mW |
| 编号 | C241808 |
| 圆盘 |
Sold out
FDS4897C
¥3.1539
无货
¥3.1539
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDS4897C |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SO-8 |
| 描述 | 描述:此类双N和P沟道增强型电场效应晶体管是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | 1个N沟道和1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A；4.4A |
| 功率(Pd) | 900mW |
| 编号 | C241808 |
| 圆盘 |