| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDS6673BZ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOIC-8 |
| 描述 | 描述:此P沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通态电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 14.5A |
| 功率(Pd) | 2.5W |
| 编号 | C467780 |
| 圆盘 |
Sold out
FDS6673BZ
¥4.7600
无货
¥4.7600
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDS6673BZ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOIC-8 |
| 描述 | 描述:此P沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通态电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 14.5A |
| 功率(Pd) | 2.5W |
| 编号 | C467780 |
| 圆盘 |