| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDS6875 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SO-8 |
| 描述 | 描述:此类P沟道2.5V指定MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电和保护电路。 |
| 类型 | 2个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| 功率(Pd) | 900mW |
| 编号 | C903631 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
FDS6875
¥5.7057
库存 50 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥5.7057 |
| 10 - 99 | ¥5.1351 |
| 100 - 999 | ¥4.8498 |
| 1000 + | ¥4.5646 |