| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDS86140 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SO-8 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，针对rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 11.2A |
| 功率(Pd) | 2.5W；5W |
| 编号 | C606115 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
Sold out
FDS86140
¥10.2600
无货
¥10.2600
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDS86140 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SO-8 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，针对rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 11.2A |
| 功率(Pd) | 2.5W；5W |
| 编号 | C606115 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |