| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDS86141 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SO-8 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 7A |
| 功率(Pd) | 2.5W |
| 编号 | C903639 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
FDS86141
¥29.7000
库存 5 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥29.7000 |
| 10 - 99 | ¥26.7300 |
| 100 - 999 | ¥25.2450 |
| 1000 + | ¥23.7600 |