| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDS86242 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOIC-8 |
| 描述 | 描述:这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为实现r |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A |
| 功率(Pd) | 2.5W；5W |
| 编号 | C113197 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
FDS86242
¥3.2500
库存 617 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥3.2500 |
| 10 - 99 | ¥2.9250 |
| 100 - 999 | ¥2.7625 |
| 1000 + | ¥2.6000 |