| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDS86267P |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SO-8 |
| 描述 | 描述:此P沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A |
| 功率(Pd) | 1W |
| 编号 | C556463 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
FDS86267P
¥14.9400
库存 30 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥14.9400 |
| 10 - 99 | ¥13.4460 |
| 100 - 999 | ¥12.6990 |
| 1000 + | ¥11.9520 |