| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDS8858CZ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOP-8 |
| 描述 | 描述:此类双N和P沟道增强型功率MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适合最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于需要线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。 |
| 类型 | 1个N沟道和1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 8.6A；7.3A |
| 功率(Pd) | 900mW |
| 编号 | C236908 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
FDS8858CZ
¥5.2400
库存 27 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥5.2400 |
| 10 - 99 | ¥4.7160 |
| 100 - 999 | ¥4.4540 |
| 1000 + | ¥4.1920 |