| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDT1600N10ALZ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-223-3 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET使用先进的PowerTrench工艺生产，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C555479 |
| 圆盘 | 4000个/圆盘 |
FDT1600N10ALZ
¥3.7800
库存 1399 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥3.7800 |
| 10 - 99 | ¥3.4020 |
| 100 - 999 | ¥3.2130 |
| 1000 + | ¥3.0240 |