| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDT457N |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-223-4 |
| 描述 | 描述:这些N沟道增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。这些产品非常适合低电压、低电流应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路，以及直流电机控制。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5A |
| 功率(Pd) | 3W |
| 编号 | C467786 |
| 圆盘 | 4000个/圆盘 |
FDT457N
¥3.9700
库存 4 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥3.9700 |
| 10 - 99 | ¥3.5730 |
| 100 - 999 | ¥3.3745 |
| 1000 + | ¥3.1760 |