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FDT86102LZ

¥9.3507

库存 211 件
数量 价格
1 - 9 ¥9.3507
10 - 99 ¥8.4156
100 - 999 ¥7.9481
1000 + ¥7.4806
产品属性 属性值
型号 FDT86102LZ
品牌 ONSEMI(安森美)
封装 封装:SOT-223-4
描述 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻和开关损耗。增加了G-S齐纳以提高ESD电压水平。
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 6.6A
功率(Pd) 2.2W
编号 C894832
圆盘 4000个/圆盘

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