| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDT86113LZ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-223-4 |
| 描述 | 描述:此N沟道逻辑电平MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。增加了G-S齐纳以提高ESD电压水平。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A |
| 功率(Pd) | 2.2W |
| 编号 | C462748 |
| 圆盘 |
Sold out
FDT86113LZ
¥4.5825
无货
¥4.5825
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDT86113LZ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-223-4 |
| 描述 | 描述:此N沟道逻辑电平MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。增加了G-S齐纳以提高ESD电压水平。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A |
| 功率(Pd) | 2.2W |
| 编号 | C462748 |
| 圆盘 |