| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDT86246L |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-223 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，针对rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 2A |
| 功率(Pd) | 1W |
| 编号 | C894836 |
| 圆盘 | 4000个/圆盘 |
FDT86246L
¥5.0200
库存 88 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥5.0200 |
| 10 - 99 | ¥4.5180 |
| 100 - 999 | ¥4.2670 |
| 1000 + | ¥4.0160 |