| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDV301N |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOT-23 |
| 描述 | 描述: N沟道 耐压:25V 电流:220mA 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):25V 连续漏极电流(Id):220mA 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@4.5V,400mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.06V@250uA 此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻，所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。 |
| 类型 | N沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA |
| 功率(Pd) | 350mW |
| 编号 | 编号: C15310 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDV301N
¥0.3698
库存 46000 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.3698 |
| 10 - 99 | ¥0.3328 |
| 100 - 999 | ¥0.3143 |
| 1000 + | ¥0.2958 |