| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDV304P |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-23 |
| 描述 | 描述:此P沟道增强型场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专为电池电源应用而设计，如笔记本电脑和手机。此器件具有卓越的导通电阻性能，即使在低至2.5V的门极驱动电压中亦是如此。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 25V |
| 连续漏极电流(Id) | 460mA |
| 功率(Pd) | 350mW |
| 编号 | C10884 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDV304P
¥1.0978
库存 3345 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.0978 |
| 10 - 99 | ¥0.9880 |
| 100 - 999 | ¥0.9331 |
| 1000 + | ¥0.8782 |