| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDY1002PZ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-563F |
| 描述 | 描述:此双P沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺设计的，可优化rDS(on)@VGS=–1.5V。 |
| 类型 | 2个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 830mA |
| 功率(Pd) | 446mW |
| 编号 | C891137 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDY1002PZ
¥2.0691
库存 2264 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥2.0691 |
| 10 - 99 | ¥1.8622 |
| 100 - 999 | ¥1.7587 |
| 1000 + | ¥1.6553 |