| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDY101PZ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SC-89-3 |
| 描述 | 描述:此单P沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺设计的，可优化RDS(ON)@VGS=-2.5V。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 150mA |
| 功率(Pd) | 625mW |
| 编号 | C891138 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDY101PZ
¥2.2344
库存 100 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥2.2344 |
| 10 - 99 | ¥2.0110 |
| 100 - 999 | ¥1.8992 |
| 1000 + | ¥1.7875 |