| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDY102PZ |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SC-89-3 |
| 描述 | 描述: P沟道 耐压:20V 电流:830mA 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):830mA 功率(Pd):625mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):500mΩ@4.5V,830mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA 此单 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可优化 rDS(on)@VGS = –1.5 V。 |
| 类型 | P沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 830mA |
| 功率(Pd) | 625mW |
| 编号 | 编号: C467787 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDY102PZ
¥1.2486
库存 2635 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.2486 |
| 10 - 99 | ¥1.1237 |
| 100 - 999 | ¥1.0613 |
| 1000 + | ¥0.9989 |