| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDY3000NZ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-563 |
| 描述 | 描述:此双N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺设计的，可优化RDS(ON)@VGS=2.5V。 |
| 类型 | 2个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA |
| 功率(Pd) | 446mW |
| 编号 | C188499 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDY3000NZ
¥3.1400
库存 5 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥3.1400 |
| 10 - 99 | ¥2.8260 |
| 100 - 999 | ¥2.6690 |
| 1000 + | ¥2.5120 |