| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDY302NZ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SC-89-3 |
| 描述 | 描述:此单N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺设计，可在VGS=2.5V时优化RDS(ON)。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA |
| 功率(Pd) | 625mW |
| 编号 | C891139 |
| 圆盘 |
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FDY302NZ
¥2.4640
无货
¥2.4640
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDY302NZ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SC-89-3 |
| 描述 | 描述:此单N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺设计，可在VGS=2.5V时优化RDS(ON)。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA |
| 功率(Pd) | 625mW |
| 编号 | C891139 |
| 圆盘 |