| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDY4000CZ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-563F |
| 描述 | 描述:此互补N和P沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺设计的，可优化RDS(ON)atVGS=2.5V和指定RDS(ON)atVGS=1.8V。 |
| 类型 | 1个N沟道和1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA；350mA |
| 功率(Pd) | 446mW |
| 编号 | C891140 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDY4000CZ
¥2.8600
库存 79 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥2.8600 |
| 10 - 99 | ¥2.5740 |
| 100 - 999 | ¥2.4310 |
| 1000 + | ¥2.2880 |