| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FF150R12KE3G_B2 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 封装 | |
| 描述 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 225A |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 发射极最大电压 | 225 A |
| 射极饱和电压 | 400 nA |
| 栅极/发射极最大电压 | 780 W |
| 连续集电极电流 | |
| 配置 | Dual |
| 最小工作温度 | – 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
FF150R12KE3G_B2
¥918.3058
库存 11 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥918.3058 |
| 10 - 99 | ¥826.4752 |
| 100 - 999 | ¥780.5599 |
| 1000 + | ¥734.6446 |