| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FF650R17IE4D_B2 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 封装 | |
| 描述 | IGBT 模块 IGBT 1700V 650A |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 发射极最大电压 | 930 A |
| 射极饱和电压 | 400 nA |
| 栅极/发射极最大电压 | 4.15 kW |
| 连续集电极电流 | |
| 配置 | Dual |
| 最小工作温度 | – 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
FF650R17IE4D_B2
¥4,765.9106
库存 3 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥4,765.9106 |
| 10 - 99 | ¥4,289.3195 |
| 100 - 999 | ¥4,051.0240 |
| 1000 + | ¥3,812.7285 |