| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FGA40T65SHD |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: TO-3PN |
| 描述 | 描述: 耐压:650V 电流:80A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):80A 功率(Pd):268W 安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。 |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极电流(Ic) | 80A |
| 功率(Pd) | 268W |
| 编号 | 编号: C898159 |
| 圆盘 | 30个/管 |
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FGA40T65SHD
¥22.1800
无货