| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FGAF40S65AQ |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: TO-3PF-3 |
| 描述 | 描述: 耐压:650V 电流:80A IGBT，650V，40A，场截止沟槽 IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):80A 功率(Pd):94W IGBT，650V，40A，场截止沟槽 安森美半导体的新型场截止第 4 代 RC IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为消费和工业应用的 PFC 转换器提供最佳性能。 |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极电流(Ic) | 80A |
| 功率(Pd) | 94W |
| 编号 | 编号: C605137 |
| 圆盘 | 30个/管 |
Sold out
FGAF40S65AQ
¥13.7500
无货