| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FGB3440G2-F085 |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: TO-263AB |
| 描述 | 描述: 耐压:400V 电流:26.9A 集射极击穿电压(Vces):400V 集电极电流(Ic):26.9A 功率(Pd):166W FGB3245G2_F085 和 FGD3245G2 是使用安森美半导体的 EcoSPARK 2 技术设计的 N 沟道 IGBT，有助于消除外部保护电路。该技术适用于在汽车点火系统的严酷环境中驱动线圈，在更高的运行温度下也能提供出色的 Vsat 和 SCIS 能源能力。逻辑电平门极输入具有 ESD 保护，以及一个集成式门极电阻。集成式齐纳电路会将 IGBT 的集极-射极电压限制在 450 V，可实现需要更高火花电压的系统。 |
| IGBT类型 | 400V |
| 集射极击穿电压(Vces) | 26.9A |
| 集电极电流(Ic) | 166W |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | 编号: C898624 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |
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FGB3440G2-F085
¥14.0600
无货