| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FGB40T65SPD-F085 |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: D2PAK-3 |
| 描述 | 描述: 耐压:650V 电流:80A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):80A 功率(Pd):267W FGH40T65SPD_F085 使用新颖的第三代场截止 IGBT 技术，具有低导通损耗和开关损耗的最佳性能，可在各种应用中实现高效能运行，同时提供 50V 的更高阻断电压和稳固的高电流开关可靠性。同时，该零件还具有并行运行的出色性能优势。 |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极电流(Ic) | 80A |
| 功率(Pd) | 267W |
| 编号 | 编号: C898625 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |
Sold out
FGB40T65SPD-F085
¥38.2000
无货