| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FGD3245G2-F085V |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: DPAK |
| 描述 | 描述: 耐压:450V 电流:23A 集射极击穿电压(Vces):450V 集电极电流(Ic):23A 功率(Pd):150W FGD3245G2-F085C 是使用安森美半导体的 EcoSPARK 2 工艺设计的 N 沟道 IGBT，有助于消除外部保护电路。该技术适用于在汽车点火系统的严酷环境中驱动线圈，在更高的运行温度下也能提供出色的 Vsat 和 SCIS 能源能力。逻辑电平门极输入具有 ESD 保护，以及一个集成式门极电阻。集成式齐纳电路会将 IGBT 的集极-射极电压限制在 450 V，可实现需要更高火花电压的系统。 |
| IGBT类型 | 450V |
| 集射极击穿电压(Vces) | 23A |
| 集电极电流(Ic) | 150W |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | 编号: C903658 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
Sold out
FGD3245G2-F085V
¥17.0000
无货