| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FGD3N60LSDTM |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: DPAK |
| 描述 | 描述: 耐压:600V 电流:6A 集射极击穿电压(Vces):600V 集电极电流(Ic):6A 功率(Pd):40W 安森美半导体的绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 提供极低导通损耗。该器件适用于需要极低导通电压降的应用。 |
| IGBT类型 | 600V |
| 集射极击穿电压(Vces) | 6A |
| 集电极电流(Ic) | 40W |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | 编号: C903663 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
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FGD3N60LSDTM
¥7.0800
无货