| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FGD3N60UNDF |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: TO-252 |
| 描述 | 描述: 耐压:600V 电流:6A IGBT类型:NPT 集射极击穿电压(Vces):600V 集电极电流(Ic):6A 功率(Pd):60W 飞兆半导体的 NPT IGBT 采用的是先进的 NPT IGBT 技术，为具有低损耗和短路耐用性特征的低功率逆变器驱动应用提供最优性能。 |
| IGBT类型 | NPT |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 集电极电流(Ic) | 6A |
| 功率(Pd) | 60W |
| 编号 | 编号: C903664 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
Sold out
FGD3N60UNDF
¥4.6000
无货