| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FGH40T120SMD |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: TO-247 |
| 描述 | 描述: 耐压:1.2kV 电流:80A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):1.2kV 集电极电流(Ic):80A 功率(Pd):555W 安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用创新的场截止沟槽 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。 |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 集电极电流(Ic) | 80A |
| 功率(Pd) | 555W |
| 编号 | 编号: C462120 |
| 圆盘 | 30个/盒 |
Sold out
FGH40T120SMD
¥69.1800
无货