| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FGH50T65SQD-F155 |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: TO-247-3 |
| 描述 | 描述: 耐压:650V 电流:100A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):100A 功率(Pd):268W 安森美半导体的新型场截止第 4 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供优异性能。 |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极电流(Ic) | 100A |
| 功率(Pd) | 268W |
| 编号 | 编号: C132704 |
| 圆盘 | 30个/管 |
FGH50T65SQD-F155
¥23.1100
库存 2046 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥23.1100 |
| 10 - 99 | ¥20.7990 |
| 100 - 999 | ¥19.6435 |
| 1000 + | ¥18.4880 |