| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FGY100T65SCDT |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: TO-247-3 |
| 描述 | 描述: IGBT，场截止沟槽，短路额定值，650 V，100 A IGBT，场截止沟槽，短路额定值，650 V，100 A 安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能、UPS、电信、ESS 和 HVAC 应用等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。 |
| IGBT类型 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | |
| 集电极电流(Ic) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | 编号: C605149 |
| 圆盘 | 450个/管 |
Sold out
FGY100T65SCDT
¥107.5600
无货