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FP35R12W2T4_B11

¥477.1764

库存 261 件
数量 价格
1 - 9 ¥477.1764
10 - 99 ¥429.4588
100 - 999 ¥405.5999
1000 + ¥381.7411

产品属性 属性值
型号 FP35R12W2T4_B11
品牌 Infineon Technologies
封装
描述 IGBT 模块 LOW POWER EASY
产品 IGBT Silicon Modules
发射极最大电压 54 A
射极饱和电压 400 nA
栅极/发射极最大电压 215 W
连续集电极电流
配置 3-Phase Inverter
最小工作温度 – 40 C
最大工作温度 + 150 C

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