| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FQA13N80-F109″ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-3P |
| 描述 | 描述:该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 800V |
| 连续漏极电流(Id) | 12.6A |
| 功率(Pd) | 300W |
| 编号 | C463976 |
| 圆盘 | 30个/管 |
FQA13N80-F109″
¥18.5100
库存 13 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥18.5100 |
| 10 - 99 | ¥16.6590 |
| 100 - 999 | ¥15.7335 |
| 1000 + | ¥14.8080 |