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FQB19N20TM

¥11.9300

库存 774 件
数量 价格
1 - 9 ¥11.9300
10 - 99 ¥10.7370
100 - 999 ¥10.1405
1000 + ¥9.5440
产品属性 属性值
型号 FQB19N20TM
品牌 ONSEMI(安森美)
封装 封装:D2PAK(TO-263)
描述 描述:此N沟道增强型功率MOSFET是使用平面条纹和DMOS专属技术生产的。此先进MOSFET技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 200V
连续漏极电流(Id) 19.4A
功率(Pd) 3.13W;140W
编号 C898638
圆盘 800个/圆盘

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