产品属性 | 属性值 |
型号 | FQB19N20TM |
品牌 | ONSEMI(安森美) |
封装 | 封装:D2PAK(TO-263) |
描述 | 描述:此N沟道增强型功率MOSFET是使用平面条纹和DMOS专属技术生产的。此先进MOSFET技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。 |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 19.4A |
功率(Pd) | 3.13W;140W |
编号 | C898638 |
圆盘 | 800个/圆盘 |

FQB19N20TM
¥11.9300
库存 774 件
数量 | 价格 |
---|---|
1 - 9 | ¥11.9300 |
10 - 99 | ¥10.7370 |
100 - 999 | ¥10.1405 |
1000 + | ¥9.5440 |